GB／T 8446.2-2022 电力半导体器件用散热器第2部分：热阻和流阻测量方法

ICS 31.220.01 CCS K 46 GB 中华人民共和国国家标准 GB/T 8446.2—2022 代替 GB/T 8446.2—2004 电力半导体器件用散热器 第2部分：热阻和流阻测量方法 Heat sinks for power semiconductor devices— Part 2: Measurement methods of thermal resistance and inlet-outlet fluid pressure drop 2022-03-09 发布 2022-10-01 实施 国家市场监督管理总局 国家标准化管理委员会 发布 GB/T 8446.2-2022 目 次 前言 ………………………………………………………………………………………………………… Ⅲ 引言 ………………………………………………………………………………………………………… Ⅳ 1 范围 ……………………………………………………………………………………………………… 1 2 规范性引用文件 ………………………………………………………………………………………… 1 3 术语和定义 ……………………………………………………………………………………………… 1 4 热阻测量方法 …………………………………………………………………………………………… 2 4.1 原理 …………………………………………………………………………………………………… 2 4.2 温度测量的规定点 …………………………………………………………………………………… 2 4.3 规定点温度的测量 …………………………………………………………………………………… 3 4.4 测量系统 ……………………………………………………………………………………………… 3 4.5 测量条件 ……………………………………………………………………………………………… 5 4.6 测量程序 ……………………………………………………………………………………………… 5 5 流阻测量方法 …………………………………………………………………………………………… 6 5.1 原理 …………………………………………………………………………………………………… 6 5.2 压力测量的规定点 …………………………………………………………………………………… 6 5.3 测量系统 ……………………………………………………………………………………………… 7 5.4 测量条件 ……………………………………………………………………………………………… 7 5.5 测量程序 ……………………………………………………………………………………………… 7 附录A（资料性） 通过测量热流确定双面散热半导体器件用散热器的热阻 ………………………… 8 附录B（资料性） 热平衡相对误差计算 ………………………………………………………………… 11 参考文献 …………………………………………………………………………………………………… 12 Ⅰ GB/T 8466.2—2022 前 言 本文件按照GB/T 1.1—2020《标准化工作导则 第1部分：标准化文件的结构和起草规则》的规定起草。 GB/T 8466《电力半导体器件用散热器》与GB/T 8446《电力半导体器件用散热器》系列标准共分为以下部分： ——GB/T 8446.1 电力半导体器件用散热器 第1部分：铸造类系列； ——GB/T 8446.2 电力半导体器件用散热器 第2部分：热阻和流阻测试方法； ——GB/T 8446.3 电力半导体器件用散热器 第3部分：绝缘件和紧固件。 本文件代替GB/T 8446.2—2004《电力半导体器件用散热器 第2部分：热阻和流阻测试方法》，与GB/T 8446.2—2004相比，除结构调整和编辑性改动外，主要技术变化如下： a) 增加了“规范性引用文件”和“术语和定义”两章（见第2章和第3章）； b) 更改了热阻测试的规定（见第4章，2004年版的第2章）； c) 更改了流阻测试的规定（见第5章，2004年版的第3章）； d) 删除了部分术语及其定义（见2004年版的第3章）。 请注意本文件的某些内容可能涉及专利。本文件的发布机构不承担识别专利的责任。 本文件由中国电器工业协会提出。 本文件由全国电力电子系统和设备标准化技术委员会（SAC/TC 60）归口。 本文件起草单位：祥博传热科技股份有限公司、广州高澜节能技术股份有限公司、全球能源互联网研究院有限公司、西安西电电力系统有限公司、江苏新彩阳机电技术有限公司、河北北华大学、中车株洲电力机车研究所有限公司、西安中车永电电气有限公司、江苏新锐电力科技有限公司、湖北台基半导体股份有限公司、江苏时代半导体股份有限公司、郑州机械研究所有限公司、中国电子科技集团公司第十八研究所、河北工业大学、四川大学、清华大学出版社有限公司、威海碧水源科技有限公司、慕尼黑再保险公司、荣信汇科电气股份有限公司、国网江苏省电力有限公司。 本文件主要起草人：李彦、李国栋、郑振、陈晓、王玲、杨志刚、王涛、焦建平、王俊、杨彦、孙永胜、刘晓东、张磊、王佳、冯静波、唐小平、李磊、刘文、刘洋、陈明、程坚、张龙、郝凤宽、王向武、刘春华、朱晓东、王晓宝、颜辉、王海军、王晓明、盛慧、宋晓飞、周建、王锐、陈志强、陈磊、李磊、赵志强、王晓东、王伟、李志强、张海峰、刘洋、王浩、李鹏、李鹏飞、王磊、张伟、王伟、李志强、张海峰、刘洋、王浩、李鹏、李鹏飞、王磊、张伟、王伟。 本文件及其所代替文件的历次版本发布情况为： ——1987年首次发布为GB/T 8446.2—1987，2004年第一次修订； ——本次为第二次修订。 8