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ICS29.045 CCS H 80 GB 中华人民共和国国家标准 GB/T 14264—2024 代替GB/T 14264—2009 半导体材料术语 Terminology of semiconductor materials 2024-04-25发布 2024-11-01实施 国家市场监督管理总局 发布 国家标准化管理委员会 SZK GB/T 14264—2024 目次 前言 Ⅲ 1范围 1 2规范性引用文件 1 3一般术语 1 4材料制备与工艺 33 5缺陷 38 6缩略语和简称. 47 索引 50 I …
正文摘录
1 范围 本文件界定了半导体材料的一般术语和定义,材料制备与工艺及缺陷的术语和定义,以及缩略语。本文件适用于半导体材料的研发、生产、制备及相关领域。2 规范性引用文件本文件没有规范性引用文件。3 一般术语 半导体 semiconductor导电性能介于导体与绝缘体之间,室温下电阻率约为 10⁻⁵ Ω·cm~10¹² Ω·cm,由带正电的空穴和带负电的电子两种载流子参加导电,并具有负的电阻温度系数以及光电导效应、整流效应的固体物质。注:半导体按其结构分为单晶体、多晶体和非晶体。本征半导体 intrinsic semiconductor晶格完整且不含杂质,在热平衡条件下,其中参与导电的电子和空穴数目近乎相等的理想半导体。注:通常所说的本征半导体是指仅含极痕量杂质,导电性能与理想情况很相近的半导体。元素半导体 elemental semiconductor由单一元素的原子组成的半导体材料。注:如硅、锗、金刚石等。化合物半导体 compound semiconductor由2种或2种以上不同元素按确定的原子配比形成的半导体材料。注:如砷化镓(GaAs)、磷化铟(InP)、碲化镉(CdTe)、碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)、氧化镓(GaO)、铟镓氮(InGaN)和铝镓铟磷(AlGaInP)等。宽禁带半导体 wide bandgap semiconductor通常为禁带宽度不低于 2.3 eV 的半导体材料。
