1 总则
1.0.1 为规范薄膜陶瓷基板工厂工程建设中设计内容、设计深度和厂房设施要求,做到技术先进、安全适用、经济合理、环保节能制定本标准。
1.0.2本标准适用于新建、扩建和改建的采用薄膜工艺制造陶瓷基板工厂的工程设计。
1.0.3 薄膜陶瓷基板工厂设计除应符合本标准外,尚应符合国家现行有关标准的规定。
2 术语
2.0.1 薄膜thin film
利用真空蒸发、溅射或其他方法淀积在基板上的电导型、电阳型或介质材料膜层
2.0.2 薄膜陶瓷基板thin-film ceramic substrate
采用真空镀膜、光刻、电镀等工艺形成有一定厚度的薄膜导体、电阻、介质图形的陶瓷基板。
2.0.3 蒸发evaporation
将固体材料置于高真空环境中加热,使其气化并淀积到衬底上形成薄膜的工艺,
2.0.4 溅射sputtering
以一定能量的粒子轰击靶材表面,使靶材表面的原子或分子获得较大的能量,最终逸出靶材沉积到衬底表面的工艺。2.0.5光刻lithography
通过涂胶、曝光、显影等工序,将掩模版上的图形转移到涂有光刻胶的基板上的工艺。
2.0.6 刻蚀etching
通过化学、物理或两者相结合的方法,有选择性地去除基板表面不需要的膜层材料
2.0.7 激光调阳aser trimming
利用来自聚焦激光源的激光光束去除电阻体材料,减小有效宽度或增加路径,达到目标阻值
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